本實(shí)用新型公開(kāi)了一種奧氏體薄壁管焊縫小盲區(qū)高信噪比的瓦狀復(fù)合晶片縱波斜探頭,瓦狀壓電晶片的上表面鍍有上電極層,瓦狀壓電晶片的下表面鍍有下電極層,所述的瓦狀壓電晶片和匹配層材料粘接在一起,帶有匹配層材料的瓦狀壓電晶片放入模具中在烘箱溫度加熱使其彎曲成和楔塊一樣的弧度,并固化成型,帶有匹配層材料的瓦狀壓電晶片粘接到楔塊的弧面上,瓦狀壓電晶片的上電極表面焊接上電極引線,瓦狀壓電晶片的下電極表面焊接下電極引線,上電極引線和下電極引線與電學(xué)模塊連接,本實(shí)用新型通過(guò)壓電
復(fù)合材料晶片瓦狀,實(shí)現(xiàn)超聲會(huì)聚作用,從而減少在奧氏體薄壁管檢測(cè)過(guò)程中的盲區(qū),提高檢測(cè)信噪比。
聲明:
“奧氏體薄壁管焊縫小盲區(qū)高信噪比的瓦狀復(fù)合晶片縱波斜探頭” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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