本發(fā)明涉及一種鉬改性碳化硅/銅復(fù)合電子封裝材料的制備方法,屬于電子封裝材料技術(shù)領(lǐng)域。針對(duì)碳化硅與金屬銅的潤(rùn)濕性較差且高溫下易與銅發(fā)生反應(yīng),致使制備的
復(fù)合材料的熱導(dǎo)率降低的問題,本發(fā)明提供了一種鉬改性碳化硅/銅復(fù)合電子封裝材料的制備方法,本發(fā)明采用稻殼為原料,通過稻殼先炭化再高溫合成兩步法制備出碳化硅晶須,將碳化硅晶須經(jīng)超聲除油,氫氟酸除二氧化硅后,在其表面磁控濺射一層鉬層,經(jīng)高溫處理使鉬層重結(jié)晶致密化后聚集長(zhǎng)大在碳化硅表面形成一層連續(xù)致密的鉬層,改善碳化硅與金屬銅的潤(rùn)濕性,增強(qiáng)界面結(jié)合力,再將其與銅粉混合均勻,經(jīng)冷壓成生坯后,真空熱壓燒結(jié)制得鉬改性碳化硅/銅復(fù)合電子封裝材料。
聲明:
“鉬改性碳化硅/銅復(fù)合電子封裝材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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