本發(fā)明公開了一種表面原位生成納米SiC的復(fù)合CNTs的制備方法,通過同步超聲分散和機(jī)械攪拌,在PVP乙醇溶液中將特定比例的納米硅粉均勻粘附于CNTs表面,然后通過原位反應(yīng)在CNTs表面生成一層納米級厚度的SiC,形成具有芽桿或殼芯結(jié)構(gòu)的SiC/CNTs
復(fù)合材料。本發(fā)明方法制備的SiC/CNTs材料不破壞CNTs的結(jié)構(gòu),且能保證CNTs和SiC的分散均勻性,在基體材料中將減少CNTs與基體之間的直接接觸,調(diào)控CNTs與基體之間的界面反應(yīng),增強(qiáng)CNTs與基體之間的界面結(jié)合,在提高金屬基體力學(xué)性能的同時保留基體良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱以及高延性。
聲明:
“表面原位生成納米SiC的復(fù)合CNTs的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)