本發(fā)明公開了一種高產(chǎn)率、大尺寸氮化硼納米片的制備方法。該方法基于增加層狀材料的層間距可顯著降低其層間作用力的原理,利用羥基基團(tuán)與氫氣間劇烈的反應(yīng)熱,實(shí)現(xiàn)六方氮化硼的低溫?zé)崤蛎?,隨后借助水結(jié)冰時(shí)的體積膨脹即可將膨脹氮化硼有效剝離成氮化硼納米片。所得氮化硼納米片的平均橫向尺寸可達(dá)1.62~1.78μm,產(chǎn)率可達(dá)39.3~43.7%,有效解決了現(xiàn)有方法制備的氮化硼納米片產(chǎn)率低、尺寸小的難題。本發(fā)明所制得的氮化硼納米片可廣泛應(yīng)用于電子封裝材料、半導(dǎo)體器件、高溫導(dǎo)熱
復(fù)合材料及高溫、氧化環(huán)境中工作的器件等方面。
聲明:
“高產(chǎn)率、大尺寸氮化硼納米片的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)