本發(fā)明涉及一種利用二次陽(yáng)極
氧化鋁(AAO)模板法制備Cu?PANI同軸納米線陣列的方法;其同軸納米線直徑為120nm,長(zhǎng)度為0.4?2.5μm。利用三電極體系進(jìn)行控電位沉積;首先將二次陽(yáng)極氧化鋁膜電極置于含有苯胺和鹽酸的電解液中,控電位沉積PANI納米管,沉積電位為0.7~1.0V,電解液溫度為20~40℃;然后將制備的PANI納米管置于含有CuSO
4和Na
2SO
4的電解液中控電位沉積Cu納米線,沉積電位為?0.3~0.0V,電解液溫度為20~50℃;將制好的材料置于NaOH溶液中溶解AAO模板,洗滌干燥后得到Cu?PANI同軸納米線陣列。該方法制備的
復(fù)合材料排列整齊、長(zhǎng)度可控,操作簡(jiǎn)單、易于實(shí)現(xiàn),且得到的材料在
電化學(xué)傳感器方面有較好的性能。
聲明:
“Cu-PANI同軸納米線陣列的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)