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g-C3N4表面生長TiO2納米晶的方法與應(yīng)用

1056   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 17:48:49
本發(fā)明提供了一種在g-C3N4表面原位生長TiO2納米晶的方法與應(yīng)用。本發(fā)明通過以下步驟獲得表面具有TiO2納米晶的g-C3N4:首先通過熱聚合制備出石墨相氮化碳g-C3N4,然后以鈦酸四丁酯(TBOT)為鈦源、乙酸銨為結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑,采用溶劑熱生長的方法使TiO2在g-C3N4表面進行原位生長。其特點是生長出來的TiO2納米晶在g-C3N4表面具有很高的分散性,而且所制備的TiO2納米晶的粒徑大約只有15?nm,比其他方法(如水解法,微波法等)合成出來的要小很多,同時具有暴露的(001)高能面。本發(fā)明所述方法能夠有效促進光生電子和空穴的分離,大大提高材料的光催化活性。通過應(yīng)用于苯酚的光催化降解,證明這種g-C3N4/TiO2復(fù)合材料具有比單純g-C3N4、單純TiO2以及機械混合g-C3N4/TiO2都要高的光催化活性。
聲明:
“g-C3N4表面生長TiO2納米晶的方法與應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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