本發(fā)明涉及一種制備高嶺土-
硅烷有機插層復合物的方法。將硅烷嫁接入高嶺土層間,形成高嶺土-層間硅烷嵌合插層體,其特征在于其層間距d(001)在2.0nm到5.9nm之間。本發(fā)明方法是將硅烷以化學鍵合作用方式嫁接入層內,且嫁接率高,不同于以往簡單的表面吸附的改性過程。可以將硅烷的多個功能基團與高嶺土的特有功能特性相互結合補償,形成具有更好分散性、吸附性、表面活性的復合物,甚至與有機母質在原位發(fā)生結合而使片層剝離,達到納米尺度上的充填。本發(fā)明在納米
復合材料、橡膠塑料填充材料領域具有較大的應用前景。
聲明:
“高嶺土-硅烷嵌合插層改性復合物的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)