本發(fā)明公開了一種大面積
碳納米管垂直陣列快速無損轉移方法,包括:將形成于第一基底上的碳納米管垂直陣列置于弱氧化氛圍中進行刻蝕處理,從而切斷所述碳納米管垂直陣列中碳納米管與第一基底的聯系,使所述碳納米管與第一基底分離;以及,將所述碳納米管垂直陣列從所述第一基底上完整剝離,并轉移到第二基底上。本發(fā)明方法簡單,易于操作,可控性好,成本低,可實現碳納米管垂直陣列的快速、大面積、無損壞的單面/雙面轉移,并具有粘結劑使用種類廣泛、轉移基底不限的優(yōu)點,還兼顧了碳納米管垂直陣列的超強、超韌力學性能及優(yōu)良的導電、導熱性能,在電子封裝用熱界面材料、電極材料和
復合材料添加層等領域具有潛在的重要應用前景。
聲明:
“大面積碳納米管垂直陣列快速無損轉移方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)