本發(fā)明公開了一種屬于無機
納米材料合成領域的一種基于金屬氧化物納米陣列電場導向外延生長水滑石制備多級結構材料的方法。其合成步驟為:首先制備垂直于導電基底生長的納米陣列材料;然后利用
電化學合成的方法在納米陣列上直接生長有序的LDH納米片,最終得到多級結構材料。該多級結構材料能夠同時充分發(fā)揮金屬氧化物納米陣列的光響應性能和水滑石的電化學及光響應性能,對于實現(xiàn)高效的光電化學能量轉換具有重要的意義。其在光電化學器件、傳感等方面具有重要的研究價值和應用價值。本發(fā)明不但得到了一種有序的陣列
復合材料,而且拓寬了水滑石類材料的制備方法和應用領域,該多級結構材料可用于光電化學分解水。
聲明:
“基于金屬氧化物納米陣列電場導向外延生長水滑石制備多級結構材料的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)