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高分子基ESD防護(hù)元件及其制造方法

1067   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 17:46:43
本發(fā)明一種高分子基ESD防護(hù)元件及其制造方法涉及以高分子樹脂為基體,導(dǎo)體/半導(dǎo)體/絕緣體粒子為填充物的共混復(fù)合材料為主要原材料的電子元件及其制造方法。一種高分子基ESD防護(hù)元件,它由芯材和貼覆在芯材兩側(cè)的金屬箔片構(gòu)成,其以熱塑性高分子材料為基材,在其中按照高分子聚合物25~45%、導(dǎo)電粒子15~40%、半導(dǎo)體粒子15~35%、絕緣粒子0~15%、加工助劑0.1~10%,通過共混獲得芯材,其中,所述的熱塑性高分子材料為聚乙烯,聚丙烯,聚氯乙稀,聚二氟乙烯聚合物中的一種及它們中一種以上聚合物的共混物。具有加工方法更加簡單,同時(shí)由于采用輻照方法進(jìn)行交聯(lián),其前期加工后所得芯片可以方便地保存。
聲明:
“高分子基ESD防護(hù)元件及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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