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基于極窄帶半導體為固體導電通道的光催化劑及其制備方法和應用

918 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-18 17:45:54

本發(fā)明涉及基于極窄帶半導體為固體導電通道的光催化劑及其制備方法和應用。通過溶膠水熱和煅燒方法制備，在Er³⁺：Y₃Al₅O₁₂@NiGa₂O₄和Bi₂Sn₂O₇之間插入一個極窄帶隙半導體CoS₂，形成了一個新型的Z型光催化體系。制備的光催化劑的光催化活性通過在模擬太陽光照射下對亞硝酸鹽和亞硫酸鹽的轉化來評估。結果表明，所制備的Er³⁺:Y₃Al₅O₁₂@NiGa₂O₄/CoS₂/Bi₂Sn₂O₇復合材料在亞硝酸鹽和亞硫酸鹽轉化過程中表現(xiàn)出了高度穩(wěn)定的光催化活性。

聲明：

“基于極窄帶半導體為固體導電通道的光催化劑及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)