一種氧化錳沉積提高
碳納米管比容的方法,通過(guò)在碳納米管(CNTS)的表面沉積氧化錳,引進(jìn)贗電容,從而提高碳納米管的比容。本發(fā)明通過(guò)對(duì)沉積材料的選擇及對(duì)沉積工藝的控制,制備了性能優(yōu)良的碳納米管—氧化錳
復(fù)合材料,大幅度地提高了碳納米管的比容,有效地解決了碳納米管的低比容值問(wèn)題。
聲明:
“氧化錳沉積提高碳納米管比容的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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