本發(fā)明涉及納米
復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種多層納米帽?星耦合周期性陣列及其制備方法,包括貴金屬?氧化物雙層基底以及生長在其表面的納米貴金屬周期陣列,所述貴金屬選自Au、Ag、Pd和Pt中的一種。本發(fā)明的多層納米帽?星耦合周期性陣列具有均勻性好、有序度高、可重復(fù)性強的特點,具有傳導(dǎo)表面等離激元和改變局域能量場的優(yōu)異性能;納米圖紋陣列構(gòu)筑步驟簡單、制備周期較短;在制備過程中無需昂貴的試劑因而制備成本較低;雙層結(jié)構(gòu)的制備為后續(xù)納米結(jié)構(gòu)拓寬了可操作的空間。
聲明:
“多層納米帽-星耦合周期性陣列及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)