一種背面檢測(cè)式有序結(jié)構(gòu)銀納米冠陣列SERS
芯片及其制備方法,屬于表面增強(qiáng)拉曼散射(SERS)技術(shù)領(lǐng)域。該SERS芯片為聚合物-金屬
復(fù)合材料。用聚合物復(fù)制陽(yáng)極
氧化鋁模板(AAO)結(jié)構(gòu),獲得具有與AAO表面結(jié)構(gòu)互補(bǔ)的聚合物冠狀陣列。在聚合物冠狀陣列表面再構(gòu)筑一層具有SERS活性的貴金屬層,形成SERS芯片。由于這種制作工藝及選用的芯片材料,使芯片兩側(cè)具有不同的介質(zhì)材料和表面粗糙度,我們通過(guò)實(shí)驗(yàn)和理論模擬都證明了該芯片必須采用背面檢測(cè)的方式才能更有效的激發(fā)表面等離子體并發(fā)生耦合,得到更強(qiáng)的SERS信號(hào)。
聲明:
“背面檢測(cè)式表面增強(qiáng)拉曼散射芯片及其制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)