本發(fā)明公開了一種具有存儲效應(yīng)的
石墨烯量子點(diǎn)/聚吡咯/金納米粒子/聚乙烯醇復(fù)合納米薄膜的制備方法及其應(yīng)用。本發(fā)明先將聚吡咯包覆石墨烯量子點(diǎn),再將金納米粒子修飾在聚吡咯包覆石墨烯量子點(diǎn)表面,進(jìn)而將石墨烯量子點(diǎn)/聚吡咯/金納米粒子
復(fù)合材料分散在聚乙烯醇水溶液中,通過旋涂得到石墨烯量子點(diǎn)/聚吡咯/金納米粒子/聚乙烯醇復(fù)合納米薄膜。該復(fù)合納米薄膜中聚吡咯有效降低石墨烯量子點(diǎn)與金納米粒子的聚集,石墨烯量子點(diǎn)與金納米粒子改善載流子的傳輸能力;該復(fù)合納米薄膜可作為電活性中間層用于構(gòu)造信息存儲器件,通過調(diào)控復(fù)合納米薄膜中聚乙烯醇的含量,可調(diào)控基于該復(fù)合納米薄膜的存儲器件的存儲性能。
聲明:
“具有存儲效應(yīng)的石墨烯量子點(diǎn)/聚吡咯/金納米粒子/聚乙烯醇復(fù)合納米薄膜” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)