本發(fā)明涉及
復合材料技術領域,尤其涉及一種高導熱高疏水環(huán)氧復合電介質材料及其制備方法,該高導熱高疏水環(huán)氧復合電介質材料包括:環(huán)氧樹脂40~50份,改性劑10~65份,固化劑35~45份和促進劑0.8~1.0份,其中改性劑為表面附著了氟化納米金剛石的氮化硼納米片。氟化納米金剛石與氮化硼納米片復合,能降低納米金剛石的表面能,促進納米金剛石在環(huán)氧樹脂中擴散;氮化硼納米片中自由電子的含量較低,也不會提高環(huán)氧樹脂的電導率,其出色的機械強度和熱穩(wěn)定性也不會對電介質材料帶來負面影響。該改性劑在特定用量的固化劑和促進劑的配合下,能在不改變電介質材料原有性質的前提下,能夠制得一種具有高導熱,高疏水性能的環(huán)氧復合電介質材料,具有廣泛的應用前景。
聲明:
“環(huán)氧復合電介質材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)