本發(fā)明涉及一種高硅取向低碳高硅硅鋼薄板的制備方法。其技術(shù)方案是將基材為硅含量低于3.0wt%的低碳鋼或低硅硅鋼置于濺射室,在真空或保護性氣氛下,采用濺射沉積法將不同靶材在基材兩面交替或同時沉積,預(yù)制成硅鐵合金膜或Fe/Si多層膜或Fe/Si超晶格多層膜的沉積層;再向濺射室通入N2和/或O2,采用濺射沉積法將Ti、Cr、Al或MgO靶材沉積在沉積層外表面,形成AlN、TiN、MgO或一層含Cr尖晶石型氧化物覆層;然后采用高能粒子注入法進行表面處理或擴散退火處理并進行軋制,最后將軋制的
復(fù)合材料進行再結(jié)晶退火處理。本發(fā)明制備周期短、擴散退火處理時間短,能形成表面碳、磷及氧含量極低的高硅取向硅鋼薄板,沉積層的晶粒大小規(guī)則,具有取向。
聲明:
“高硅取向硅鋼薄板的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)