本發(fā)明涉及一種等離激元正金字塔陣列基底及體外細(xì)胞內(nèi)物質(zhì)遞送方法,通過結(jié)合多種微納加工技術(shù),在單晶硅表面刻蝕出周期和尺寸可調(diào)控的正金字塔陣列結(jié)構(gòu),進(jìn)而沉積金屬層或者其他
復(fù)合材料層使其具備優(yōu)異的原位等離激元性能和等離子光熱轉(zhuǎn)換性能,最后將細(xì)胞播種在基底表面,通過光源輻照的方式促進(jìn)物質(zhì)向細(xì)胞內(nèi)的遞送。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明制備的等離激元陣列結(jié)構(gòu)整齊可控,物質(zhì)遞送效率高,體外細(xì)胞活性保持良好,為廣譜和高通量的細(xì)胞內(nèi)遞送提供了一種新的思路,具有廣泛的應(yīng)用前景。
聲明:
“等離激元正金字塔陣列基底及體外細(xì)胞內(nèi)物質(zhì)遞送方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)