本發(fā)明公開了一種碳化硼納米片/硼摻雜
石墨烯量子點(diǎn)的制備方法及其電還原制氨應(yīng)用,屬于
電化學(xué)催化技術(shù)領(lǐng)域。將碳化硼超聲剝離成碳化硼納米片,高溫處理后在碳化硼納米片表面原位生成硼摻雜石墨烯,再通過水熱和超聲處理將碳化硼納米片表面的硼摻雜石墨烯打碎成量子點(diǎn),制備碳化硼納米片/硼摻雜石墨烯量子點(diǎn)(B
4C?BGQDs)
復(fù)合材料。B
4C?BGQDs上的BGQDs的尺寸很小,可暴露更多的活性位點(diǎn)、具有比碳化硼納米片更好的導(dǎo)電性、對氮?dú)飧玫奈叫砸约案玫碾姶呋獨(dú)膺€原的活性,在常溫常壓下可實現(xiàn)無副產(chǎn)物水合肼產(chǎn)生的高效電催化氮?dú)膺€原合成氨,此外,B
4C?BGQDs還具有優(yōu)異的可循環(huán)利用性和電化學(xué)穩(wěn)定性。
聲明:
“碳化硼納米片/硼摻雜石墨烯量子點(diǎn)的制備方法及其電還原制氨應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)