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半導體結(jié)構(gòu)

1132   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 17:20:40
一種半導體結(jié)構(gòu),包括基板、半導體磊晶層、半導體阻障層、第一半導體元件、絕緣摻雜區(qū)、及至少一絕緣柱?;灏ɑ暮?a href="http://m.189000b.com/meet_show-74.html" target="_blank">復合材料層,半導體磊晶層設置于基板上,半導體阻障層設置于半導體磊晶層上。第一半導體元件設置于基板上,其中第一半導體元件包括位于半導體阻障層上的第一半導體蓋層。絕緣摻雜區(qū)位于第一半導體元件的一側(cè)。至少部分的絕緣柱位于絕緣摻雜區(qū)內(nèi),絕緣柱圍繞至少部分第一半導體元件且貫穿復合材料層。
聲明:
“半導體結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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