2制備耐高溫介電性吸波劑C@SiC晶須粉末的制備方法,復(fù)合材料"> 2制備耐高溫介電性吸波劑C@SiC晶須粉末的制備方法,本發(fā)明公開了一種使用NiCl2制備耐高溫介電性吸波劑C@SiC晶須粉末的制備方法,屬于耐高溫電磁波吸收與防護(hù)復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明解決了目前應(yīng)用的磁性吸波材料在高溫下都會(huì)有不同程度的不可逆氧化,且磁性材料密度遠(yuǎn)大于介電材料的問(wèn)題。本發(fā)明方法:一、SiC晶須烘燒后用HF溶液浸泡;二、NiCl2水溶液,三、NiCl2水溶液與步驟一處理的SiC晶須混合,攪拌均勻,烘干,研磨均勻;四、惰性氣體保護(hù)下燒結(jié),去除雜質(zhì),烘干,研磨,得到C@SiC粉末。并且本發(fā)明還可以">

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使用NiCl2制備耐高溫介電性吸波劑C@SiC晶須粉末的制備方法

784   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 17:17:30
本發(fā)明公開了一種使用NiCl2制備耐高溫介電性吸波劑C@SiC晶須粉末的制備方法,屬于耐高溫電磁波吸收與防護(hù)復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明解決了目前應(yīng)用的磁性吸波材料在高溫下都會(huì)有不同程度的不可逆氧化,且磁性材料密度遠(yuǎn)大于介電材料的問(wèn)題。本發(fā)明方法:一、SiC晶須烘燒后用HF溶液浸泡;二、NiCl2水溶液,三、NiCl2水溶液與步驟一處理的SiC晶須混合,攪拌均勻,烘干,研磨均勻;四、惰性氣體保護(hù)下燒結(jié),去除雜質(zhì),烘干,研磨,得到C@SiC粉末。并且本發(fā)明還可以在步驟四研磨后記性二次燒結(jié)。本發(fā)明的C@SiC晶須粉末在常溫下具有很好的抗氧化能力。
聲明:
“使用NiCl2制備耐高溫介電性吸波劑C@SiC晶須粉末的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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