本發(fā)明涉及一種改進(jìn)型高溫級高分子PTC熱敏電阻器制造方法,以導(dǎo)電高分子聚合物
復(fù)合材料為主要原料。一種改進(jìn)型高溫級高分子PTC熱敏電阻器制造方法,它由芯材和貼覆于所述芯材兩面的金屬箔片,焊接在該金屬箔片外表面上的引出電極以及包覆在外面的絕緣層構(gòu)成,其中,所述的芯材由粉末狀導(dǎo)電高分子材料壓制而成,所述的粉末狀導(dǎo)電高分子材料由高分子聚合物、碳黑、碳黑分散劑以及其它加工助劑混合而成,其組成按重量百分比含量為:高分子聚合物35%~60%、炭黑35%~55%、聚四氟乙烯粉末0.5%~20%、加工助劑0.1%~10%,其中,所述的高分子聚合物為:聚偏氟乙烯、可熔性聚四氟乙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物、尼龍11、尼龍12、全氟乙丙烯、乙烯三氟氯乙烯以及它們的共聚物中的一種或一種以上聚合物的共混物。
聲明:
“改進(jìn)型高溫級高分子PTC熱敏電阻器制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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