本發(fā)明涉及一種納米晶粒二氧化錫的電子束制備方法,可實現(xiàn)材料和結(jié)構(gòu)的定區(qū)域定尺寸加工制備,屬于金屬氧化物材料制備和半導(dǎo)體器件制造工藝技術(shù)領(lǐng)域。該方法以純錫為原材料,通過電子束輻照氧化的物理機(jī)制,制備出納米晶粒的二氧化錫材料或含有二氧化錫的
復(fù)合材料以及含有上述材料組織的特殊結(jié)構(gòu),其中二氧化錫的晶粒尺寸分布可達(dá)3~15nm。本發(fā)明基于電子束與材料的物理交互作用,不同于以往的化學(xué)合成方法,制備過程簡單,可控性強(qiáng),可實現(xiàn)在微小特定區(qū)域內(nèi)二氧化錫
納米材料及復(fù)合材料的制備,亦可實現(xiàn)含二氧化錫的特殊結(jié)構(gòu)的制造,為二氧化錫材料合成和微型器件制造提供切實可行的方法,解決現(xiàn)有化學(xué)技術(shù)方法中存在的工藝復(fù)雜、雜質(zhì)殘留等問題。
聲明:
“納米晶粒二氧化錫的電子束制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)