本發(fā)明公開一種光記錄介質,包含反射層、第一電介質層、相變記錄層和第二電介質層。所述相變記錄層具有通過SbxInyMz表示的平均組成,其中M是Mo、Ge、Mn和Al中的至少一種,并且x、y和z分別是在0.70≤x≤0.92、0.05≤y≤0.20和0.03≤z≤0.10范圍內的值,前提是x+y+z=1,所述第一電介質層包含含有氧化鋯的
復合材料或氧化鉭,并且所述第二電介質層包含含有氧化鉻的復合材料或氮化硅。
聲明:
“光記錄介質” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
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