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用于擴散連接碳化硅陶瓷的復合中間層及其連接工藝

666 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-18 17:11:18

本發(fā)明公開了一種用于擴散連接碳化硅陶瓷的復合中間層及其連接工藝，其中用于擴散連接碳化硅陶瓷的復合中間層的原料及配比構成如下：高純氫化鈦粉(TiH₂)55?65wt.％；高純硅粉(Si)20?25wt.％；高純石墨粉(C)12?17wt.％；高純鋁粉(Al)1?3wt.％。本發(fā)明利用放電等離子燒結技術(Spark?Plasma?Sintering,SPS)，在真空條件下制備了連接層厚度為20?100μm的碳化硅(SiC)接頭。連接層材料主要由鈦碳化硅(Ti₃SiC₂)、碳化硅(SiC)和碳化鈦(TiC)組成。通過改變原料的配比和燒結的工藝參數，室溫下最高的剪切強度達到了135.8MPa，連接層復合材料硬度可達28.1GPa，超過了SiC母材的硬度，具有較高的實用價值。

聲明：

“用于擴散連接碳化硅陶瓷的復合中間層及其連接工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)