本發(fā)明涉及電極材料技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種MXene/磷酸鎳電極材料及其制備方法和應(yīng)用,本發(fā)明提供的MXene/磷酸鎳電極材料包括MXene片層和磷酸鎳球,所述磷酸鎳球錨定于MXene納米片層表面和插層于MXene納米片層之間。本發(fā)明提供的MXene/磷酸鎳電極材料磷酸鎳錨定于MXene納米片層表面,降低了
復(fù)合材料間的界面轉(zhuǎn)移電阻,提高復(fù)合材料的導(dǎo)電性;磷酸鎳的插層生長(zhǎng)在MXene片層之間拓寬了MXene片層的層間距并成為其層間支柱,在促進(jìn)離子遷移的同時(shí)增強(qiáng)了材料的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,展現(xiàn)出大比電容、高穩(wěn)定性以及高導(dǎo)電性的優(yōu)異
電化學(xué)表現(xiàn)。
聲明:
“MXene/磷酸鎳電極材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)