2基納米管陣列的制備與應(yīng)用,復(fù)合材料"> 2基納米管陣列的制備與應(yīng)用,本發(fā)明提供了一種貴金屬/H?TiO2基納米管陣列的制備方法,屬于納米復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域。具體制備方法的步驟為:在含鈦金屬基體上,通過陽極氧化法制備納米管有序陣列;對(duì)所制備的納米管有序陣列進(jìn)行晶化和氫化處理,得到H?TiO2基納米管陣列;對(duì)所制備的H?TiO2基納米管陣列與進(jìn)行貴金屬的負(fù)載,制備得到一種貴金屬負(fù)載的H?TiO2基納米管陣列。該有序納米管陣列復(fù)合材料比表面積巨大,光催化性能明顯提高,并且具有較好的穩(wěn)定性,應(yīng)用廣泛,如可作為光電轉(zhuǎn)換材料來使用,可以">

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貴金屬/H-TiO2基納米管陣列的制備與應(yīng)用

1032   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 17:10:23
本發(fā)明提供了一種貴金屬/H?TiO2基納米管陣列的制備方法,屬于納米復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域。具體制備方法的步驟為:在含鈦金屬基體上,通過陽極氧化法制備納米管有序陣列;對(duì)所制備的納米管有序陣列進(jìn)行晶化和氫化處理,得到H?TiO2基納米管陣列;對(duì)所制備的H?TiO2基納米管陣列與進(jìn)行貴金屬的負(fù)載,制備得到一種貴金屬負(fù)載的H?TiO2基納米管陣列。該有序納米管陣列復(fù)合材料比表面積巨大,光催化性能明顯提高,并且具有較好的穩(wěn)定性,應(yīng)用廣泛,如可作為光電轉(zhuǎn)換材料來使用,可以充分發(fā)揮納米管有序陣列的優(yōu)勢(shì),明顯擴(kuò)展光吸收范圍,為高性能光電極的開發(fā)和應(yīng)用提供思路。
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“貴金屬/H-TiO2基納米管陣列的制備與應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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