2基納米管陣列的制備與應(yīng)用,復(fù)合材料"> 2基納米管陣列的制備與應(yīng)用,本發(fā)明提供了一種貴金屬/H?TiO2基納米管陣列的制備方法,屬于納米復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域。具體制備方法的步驟為:在含鈦金屬基體上,通過陽極氧化法制備納米管有序陣列;對(duì)所制備的納米管有序陣列進(jìn)行晶化和氫化處理,得到H?TiO2基納米管陣列;對(duì)所制備的H?TiO2基納米管陣列與進(jìn)行貴金屬的負(fù)載,制備得到一種貴金屬負(fù)載的H?TiO2基納米管陣列。該有序納米管陣列復(fù)合材料比表面積巨大,光催化性能明顯提高,并且具有較好的穩(wěn)定性,應(yīng)用廣泛,如可作為光電轉(zhuǎn)換材料來使用,可以">
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