本發(fā)明涉及一種耐電暈聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備方法及復(fù)合薄膜。該制備方法包括以下步驟:將羥基取代的苯硫酚鍵合到含鈦
納米材料上,得到改性含鈦納米材料,通過光還原工藝在改性含鈦納米材料上生成貴金屬納米顆粒,得到貴金屬納米顆粒修飾后的含鈦納米材料,將貴金屬納米顆粒修飾后的含鈦納米材料加入到二酐前驅(qū)體和二胺前驅(qū)體中進行原位聚合,得到聚酰亞胺前驅(qū)體
復(fù)合材料;采用流延法將聚酰亞胺前驅(qū)體復(fù)合材料制備成聚酰亞胺前驅(qū)體薄膜,再進一步使聚酰亞胺前驅(qū)體薄膜亞胺化,得到聚酰亞胺薄膜。本發(fā)明制備得到的聚酰亞胺薄膜不僅具有優(yōu)異的介電性能,而且具有優(yōu)異的耐電暈性能和力學(xué)性能。
聲明:
“聚酰亞胺復(fù)合薄膜” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)