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低功耗高穩(wěn)定性的相變存儲單元及制備方法

954 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-18 17:07:00

本發(fā)明提供的一種低功耗高穩(wěn)定性的相變存儲單元,包括基底層、相變材料區(qū)、電極以及將所述相變材料區(qū)全部包裹的介質材料包覆層,且所述介質材料包覆層的材料為不與所述相變材料發(fā)生反應的材料,相變材料區(qū)的相變材料可為純相變材料,也可為相變材料和介質材料構成的摻雜材料,或者為相變材料和介質材料構成的復合材料等。本發(fā)明還提供了制備低功耗高穩(wěn)定性的相變存儲單元的方法,所形成的相變存儲單元可以有效抑制相變材料中各元素的擴散和揮發(fā),有利于材料性能的穩(wěn)定,同時抑制了相變材料晶粒的長大,提升了材料的電阻率,降低了器件功耗。

聲明：

“低功耗高穩(wěn)定性的相變存儲單元及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)