本發(fā)明公開了一種太陽能級含硼摻雜劑晶體硅錠生長及其硅原料提純用坩堝,由坩堝外殼和覆蓋在坩堝外殼內表面的氮化硼內襯組成,其中,氮化硼內襯的厚度為0.001mm~4mm,氮化硼內襯中氮化硼的質量不超過加入到坩堝內的硅原料質量的2%;坩堝外殼采用石墨、石英或炭炭
復合材料中的一種或多種加工而成。本發(fā)明還公開了該坩堝的制備方法及其應用。本發(fā)明解決了現有技術中硅熔液通過坩堝內的毛細管滲漏和硅在坩堝壁上的粘連而導致的坩堝或硅錠出現裂紋甚至破碎的問題,不但滿足了工業(yè)化、大容積、低成本、壽命長的要求,而且具有普遍適用性,特別是可以適用于高溫低壓下或其它特定要求的生產環(huán)境。
聲明:
“晶體硅錠生長及其硅原料提純用坩堝及其制備和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)