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用振動加速沉降技術(shù)制備SiCp/A1電子封裝零件的方法

791   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 17:02:45
本發(fā)明涉及用振動加速沉降技術(shù)制備SiCp/Al電子封裝零件的方法,屬于電 子封裝零件制備技術(shù)領(lǐng)域。以SiCp/Al復(fù)合材料為原料,將熔融SiCp/Al復(fù)合材 料澆注入成型模具中并保溫,采用振動激勵加速沉降高溫SiCp/Al復(fù)合材料熔體 中的SiC顆粒到熔體下部,冷卻凝固后切割掉位于鑄件上部的完全由Al-Si合 金構(gòu)成的部分,制備出體積分數(shù)為45~70%的SiCp/Al電子封裝零件,所述零件 的材料具有高熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)、SiC顆粒分布均勻和高致密度的特點,并 且制備過程中工藝和設(shè)備簡單、制備周期短、能凈終成形,有成本低、孔隙率 低和材料性能好的優(yōu)點。
聲明:
“用振動加速沉降技術(shù)制備SiCp/A1電子封裝零件的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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