2O5@Ag、V2O5@Cu的制備及應(yīng)用,復合材料"> 2O5@Ag、V2O5@Cu的制備及應(yīng)用,本發(fā)明涉及半導體材料V2O5@Ag、V2O5@Cu的制備及應(yīng)用,包括:將納米材料V2O5在超聲條件下分散于含有M離子及化合物的溶液中,使納米V2O5均勻分散,然后在攪拌下陳化一段時間,使納米V2O5對M離子及化合物的吸附達到飽和;將上述溶液離心分離,將沉淀即吸附了M離子及化合物的納米V2O5漂洗后攪拌分散在一定濃度的還原劑溶液中,充分反應(yīng),然后分離、漂洗、干燥,即得V2O5@M納米半導體復合材料。該方法操作簡單,時間短,成本低,環(huán)境友好,重復性好,效率高,">
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