本發(fā)明公開了一種三層梯度GIS/GIL支撐絕緣子的制備方法,以降低絕緣子沿面或局部區(qū)域電場強(qiáng)度為優(yōu)化目標(biāo),利用變密度算法求解支撐絕緣子內(nèi)部介電常數(shù)的最優(yōu)空間分布;根據(jù)優(yōu)化結(jié)果,將介電常數(shù)發(fā)生變化區(qū)域分為介電常數(shù)過渡區(qū)域和高介電區(qū)域,并將介電常數(shù)過渡區(qū)域的結(jié)合輪廓提取出來,隨后利用光固化3D打印生成帶有支撐和樹脂澆注口中空介電常數(shù)過渡區(qū)域;采用高介電填料/聚合物共混的方式制備可熱固化的高介電
復(fù)合材料,隨后將高介電復(fù)合材料倒入介電常數(shù)過渡區(qū)域,并整體放入金屬模具中予以固定;采用低介電填料/聚合物共混的方式制備可熱固化的高介電復(fù)合材料,隨后倒入金屬模具中,真空中固化完成后即可得到三層梯度GIS/GIL支撐絕緣子。
聲明:
“三層梯度GIS/GIL支撐絕緣子的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)