本發(fā)明公開了一種低膨脹高溫
鋁合金層狀電子封裝材料的制備方法,包括以下步驟:首先制備Al?Cu?Mg?Si?Ni合金坯錠,然后氣霧化制成Al?Cu?Mg?Si?Ni粉末,并向該粉末中加入表面包覆有銅膜的
碳納米管,在三輥研磨機(jī)中研磨,冷等靜壓成型、真空除氣、固溶時效強(qiáng)化處理,去除包套,制得鋁基
復(fù)合材料;最后將鋁基復(fù)合材料?鋁板?鋁基復(fù)合材料疊層放置,然后進(jìn)行包套,脫氣密封,并將密封后的包套材料進(jìn)行熱等靜壓處理,然后高溫軋制,軋制后的材料冷卻至室溫,去除包套,得到低膨脹高溫鋁合金層狀電子封裝材料。該制備方法簡單易操作,制得的封裝材料具有優(yōu)異的導(dǎo)熱、耐高溫以及熱膨脹性能,力學(xué)性能好。
聲明:
“低膨脹高溫鋁合金層狀電子封裝材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)