本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N負(fù)極極片、包含該負(fù)極極片的
電化學(xué)裝置及電子裝置,其中負(fù)極極片包括負(fù)極集流體、設(shè)置在負(fù)極集流體的至少一個(gè)表面上的
負(fù)極材料層,負(fù)極材料層包括硅基
復(fù)合材料,硅基復(fù)合材料的拉曼圖譜中,IA表示拉曼圖譜對(duì)應(yīng)峰位為480 cm?1±15 cm?1時(shí)的峰強(qiáng),IB表示拉曼圖譜對(duì)應(yīng)峰位為1338 cm?1±15 cm?1時(shí)的峰強(qiáng),IC表示拉曼圖譜對(duì)應(yīng)峰位為1595 cm?1±15 cm?1時(shí)的峰強(qiáng);硅基復(fù)合材料滿足:0.01
聲明:
“負(fù)極極片、包含該負(fù)極極片的電化學(xué)裝置及電子裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)