本發(fā)明公開了一種基于GaAsN-GaAsSb材料的II型異質(zhì)結(jié)隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管,主要解決現(xiàn)有III-V族材料制備隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能差的問題。其包括襯底(1)、源極(2)、溝道(3)、漏極(4)、絕緣電介質(zhì)(5)和柵電極(6)。源極和漏極均采用N組分為(0,0.03]的GaAsN
復(fù)合材料;溝道采用Sb組分為[0.35,0.65]的GaAsSb復(fù)合材料;在襯底上,源極、溝道、漏極自下而上豎直分布,絕緣電介質(zhì)與柵電極包裹在溝道外部。本發(fā)明通過GaAsN與GaAsSb兩種材料相互接觸形成II型異質(zhì)隧穿結(jié)使得隧穿勢(shì)壘高度降低,隧穿幾率和隧穿電流增大,器件整體性能提升,可用于制作大規(guī)模集成電路。
聲明:
“基于GaAsN-GaAsSb材料的II型異質(zhì)結(jié)隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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