本發(fā)明公開了一種LED
芯片及其制作方法與應(yīng)用,該LED芯片包括底層,所述底層表面設(shè)有N型半導(dǎo)體層(3);所述N型半導(dǎo)體層(3)分為第一區(qū)域和第二區(qū)域;所述第一區(qū)域表面設(shè)有中間層;所述中間層表面設(shè)有P型透明導(dǎo)電層;所述P型透明導(dǎo)電層和第二區(qū)域表面設(shè)有頂層;其中,所述P型透明導(dǎo)電層由包括SnO2
復(fù)合材料和Cu2O復(fù)合材料的一種;所述SnO2復(fù)合材料包括SnO2與In2O3;所述Cu2O復(fù)合材料包括Cu2O與NiO。本發(fā)明通過在外延片的表面沉積P型透明導(dǎo)電層,提高了P型透明導(dǎo)電層中“空穴”向外延片的注入效率,降低了LED芯片正向電壓,提升了LED芯片亮度。
聲明:
“LED芯片及其制作方法與應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)