本發(fā)明涉及一種用于場區(qū)總劑量抗輻射加固的工藝,其包括如下步驟:a、提供襯底,并所述襯底表面形成第一二氧化硅層;b、在上述第一二氧化硅層上設(shè)置
復合材料層;c、對上述復合材料層進行刻蝕,形成場區(qū)隔離結(jié)構(gòu);d、淀積
多晶硅,通過刻蝕所述多晶硅在場區(qū)上形成多晶硅條;e、通過在襯底表面形成多晶硅條表面離子注入形成源漏重摻雜區(qū),所述源漏重摻雜區(qū)位于復合材料層的兩側(cè)。本發(fā)明采用非晶硅材料層和通過PECVD淀積第二二氧化硅層形成的復合材料層,具有抗輻射性能優(yōu)良和良好的電學隔離特性,能夠在大劑量的輻射條件下,抑制NMOS場管的開啟電壓漂移,提高集成電路的抗總劑量輻射能力;加工工藝簡單,具有很強的操作性。
聲明:
“用于場區(qū)總劑量抗輻射加固的工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)