本公開(kāi)涉及包括
復(fù)合材料的散熱器底座。該復(fù)合材料可以包括由導(dǎo)熱主要材料構(gòu)成的至少一層以及由導(dǎo)熱輔助材料構(gòu)成的至少一層。該復(fù)合材料可以包括復(fù)合材料的橫向熱導(dǎo)率(Kz)與平面熱導(dǎo)率(Kx、Ky)的至少為0.1的傳導(dǎo)比。該散熱器底座可以是可與半導(dǎo)體
芯片的形狀共形的。
聲明:
“用于多芯片封裝的可共形散熱器底座” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)