本發(fā)明涉及一種放電等離子燒結(jié)一步制備多層環(huán)境障礙涂層的方法。實施方法為:以碳化硅纖維增強碳化硅陶瓷基
復(fù)合材料(SiC/SiC)為基體,在其表面直接制備環(huán)境障礙涂層材料,根據(jù)涂層面層材料的不同,在1050℃溫度利用放電等離子燒結(jié)(SPS),保溫時間2min,模具內(nèi)壓強為48MPa,升溫速率為50℃/min,將壓成片的涂層材料和基體一起放進(jìn)模具內(nèi),可以直接得到帶有多層環(huán)境障礙涂層的SiC/SiC復(fù)合材料。使用該法在基體材料上制備多層環(huán)境障礙涂層,相對與化學(xué)氣相沉積(CVD),等離子噴涂法和溶膠-凝膠法等,更加便捷,大大的降低成本,縮短制備周期,而且涂層質(zhì)量可控制,得到的涂層致密度更高,性能優(yōu)越。
聲明:
“放電等離子燒結(jié)一步制備多層環(huán)境障礙涂層的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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