本發(fā)明提供了一種檢測轉(zhuǎn)基因CaMV35S啟動子電極的制備方法級用途,包括:還原氧化
石墨烯/金納米
復合材料RGO/Au的制備步驟;硅@碲化鎘納米復合材料Si@CdTe的制備步驟;在ITO電極上制備探針1(Probe1)的步驟;向探針1(Probe1)修飾目標DNA(t-DNA)CaMV35S啟動子的步驟;向目標DNA(t-DNA)CaMV35S啟動子修飾探針2(Probe2)的步驟。本發(fā)明通過rGO/Au?NPs和Si@CdTe兩端雙重信號放大,實現(xiàn)了對轉(zhuǎn)基因CaMV35S啟動子的靈敏檢測,在0.05~100pM的濃度區(qū)間內(nèi),CaMV35S濃度與光電流呈現(xiàn)良好的線性關系,檢出限可達0.017pM。
聲明:
“檢測轉(zhuǎn)基因CaMV35S啟動子的電極的制備方法及用途” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)