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耐高溫低熱膨脹系數(shù)的鋁基/PMOS基復合層狀材料的制備方法

1088 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-18 16:53:48

本發(fā)明公開了一種耐高溫低熱膨脹系數(shù)的鋁基/PMOS基復合層狀材料的制備方法，包括以下步驟：首先制得PMOS/莫來石/Si3N4雜化材料，然后通過在Al?Cu?Mg?Si合金中加入Fe、Ni或Ag、Si3N4，制得鋁基復合材料，最后將制得的PMOS/莫來石/Si3N4雜化材料、鋁基復合材料、PMOS/莫來石/Si3N4雜化材料復合制得層狀材料，層與層之間采用粘合層材料粘結而成，制得的層狀材料在200?400℃熱處理，制得鋁基/PMOS基復合層狀材料。該發(fā)明制得的復合層狀材料力學性能好，強度大，耐高溫性能優(yōu)異，熱膨脹系數(shù)低。

聲明：

“耐高溫低熱膨脹系數(shù)的鋁基/PMOS基復合層狀材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)