一種環(huán)境障涂層的制備方法,其步驟是采用等離子噴涂?物理沉積技術,分別以粒徑15~45μm的Si粉末,粒徑15~40μm團聚的莫來石粉末和粒徑10~40μm團聚的Yb2SiO5粉末為原料,依次在硅基
復合材料上制備Si涂層,在Si涂層上制備莫來石涂層和在莫來石涂層上制備Yb2SiO5涂層,噴涂過程中,硅基復合材料的溫度控制在900~1100℃,制得所述硅基復合材料環(huán)境障涂層。本發(fā)明提供一種環(huán)境障涂層的制備方法,該環(huán)境障涂層較傳統(tǒng)制備技術可減少涂層中裂紋的數(shù)量、可降低Si涂層的氧化以及避免莫來石涂層中晶粒的非晶化現(xiàn)象。
聲明:
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