本發(fā)明涉及一種近零膨脹特性的C/SiC結(jié)構(gòu)材料的制備方法,將連續(xù)炭纖維制備成纖維預(yù)制體,其纖維體積分?jǐn)?shù)≥40%,通過(guò)化學(xué)氣相滲透(CVI)工藝在纖維束絲表面制備熱解碳界面層并進(jìn)行高溫處理,采用化學(xué)氣相滲透工藝(CVI)在界面相表面沉積13~18%體積分?jǐn)?shù)的碳化硅,使用漿料滲透結(jié)合反應(yīng)熔體滲透工藝(RMI)迅速制備多相陶瓷基體,最后通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝制備碳化硅涂層進(jìn)行表面封填。優(yōu)點(diǎn):(1)大幅度降低了現(xiàn)有陶瓷基
復(fù)合材料的線膨脹系數(shù),由本方法制備的陶瓷基復(fù)合材料線膨脹系數(shù)接近于零(小于1×10
?7/K);(2)有效地提高了復(fù)合材料的均勻性和致密度;(3)縮短了材料制備周期。
聲明:
“近零膨脹特性的C/SiC結(jié)構(gòu)材料的制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)