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原位合成A1N/A1電子封裝材料的方法

976 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-18 16:50:21

本發(fā)明公開了一種原位合成AlN/Al電子封裝材料的方法,將一定摩爾比的Al粉和NH4Cl均勻混合后,在20～30MPa壓力下模壓成型,再在200～400MPa壓力下冷等靜壓成型,將干壓成型后的生坯放入熱壓燒結爐中,預抽真空后關閉熱壓燒結爐的真空閥,通入N2使爐內(nèi)氣壓回升到常壓,在700～1000℃的溫度下燒結制成AlN/Al復合材料。本發(fā)明的優(yōu)點為:本發(fā)明所制備的AlN/Al復合材料中AlN為原位合成,與金屬Al具有很好的界面結合;原料來源廣、價格便宜,AlN的體積分數(shù)可以通過NH4Cl的添加量來控制;所制備的AlN/Al復合材料的熱導率高,熱膨脹系數(shù)與Si接近,完全能夠滿足電子封裝的要求。

聲明：

“原位合成A1N/A1電子封裝材料的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)