本發(fā)明涉及一種IGBT絕緣基板用高導熱環(huán)氧樹脂的制備方法,它包括,采用BN粒子的高導熱性,將微米級BN顆粒加入環(huán)氧樹脂中,經過一系列的混合加工處理工序,形成穩(wěn)定的
復合材料。添加BN顆??梢栽诃h(huán)氧基體內部形成導熱通道,從而提高整個復合材料的導熱性能,本發(fā)明將驗證復合材料的導熱性能,并對新型復合材料耐放電侵蝕性能進行測試。
聲明:
“IGBT絕緣基板用高導熱環(huán)氧樹脂的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)