示例性實(shí)施例可提供一種相變材料層和形成相變材料層的方法以及使用相變材料層的裝置,形成相變材料層的方法包括以下步驟:在反應(yīng)室中產(chǎn)生包括氬和/或氦的等離子體;將包括第一材料的第一源氣體引入,以在目標(biāo)物上形成第一材料層;將包括第二材料的第二源氣體引入到反應(yīng)室中,在目標(biāo)物上形成第一
復(fù)合材料層,將包括第三材料的第三源氣體引入,以在第一復(fù)合材料層上形成第三材料層;將包括第四材料的第四源氣體引入,以在第一復(fù)合材料層上形成第二復(fù)合材料層。示例性實(shí)施例的含碳的相變材料層可在氦/氬等離子體環(huán)境以及低溫條件下通過在各種供給時(shí)間內(nèi)提供源氣體更加容易和/或快速地形成。示例性實(shí)施例還可包括使用相變存儲(chǔ)層的存儲(chǔ)裝置。
聲明:
“相變材料層及其形成方法、相變存儲(chǔ)裝置及其形成方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)