本發(fā)明涉及電荷存儲(chǔ)材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種電荷存儲(chǔ)聚合物基
復(fù)合材料的制備方法,通過(guò)
半導(dǎo)體材料帶隙調(diào)控提高了電荷存儲(chǔ)聚合物材料的電荷儲(chǔ)存能力。所述方法包括以下步驟:步驟一、將電荷存儲(chǔ)聚合物溶解后配制成對(duì)應(yīng)的聚合物溶液,按照半導(dǎo)體材料的添加量是電荷存儲(chǔ)聚合物的萬(wàn)分之一至萬(wàn)分之五,將半導(dǎo)體材料添加至所述聚合物溶液中超聲分散均勻后,得到復(fù)合溶液;步驟二、將復(fù)合溶液涂敷在基底上,將基底放于馬弗爐中烘烤,溫度范圍為80℃到400℃,烘烤至溶劑全部揮發(fā)完畢,冷卻后揭膜得到復(fù)合膜備用;步驟三、將得到的復(fù)合膜極化處理得到復(fù)合的電荷存儲(chǔ)材料。本發(fā)明制備方法簡(jiǎn)單,且提升電荷存儲(chǔ)材料電荷密度效果明顯。
聲明:
“電荷存儲(chǔ)聚合物基復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)