本發(fā)明公開了一種高介電、低損耗和高擊穿強(qiáng)度的聚偏氟乙烯基
復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用,屬于高性能電容器和
儲能器件等應(yīng)用領(lǐng)域。本發(fā)明要解決PVDF介電常數(shù)有限難以滿足電容器和儲能器件對高介電性能要求的技術(shù)問題。本發(fā)明是先用
硅烷偶聯(lián)劑改性的納米鈦酸鉍鈉,納米鈦酸鉍鈉的形貌為球狀,以聚偏氟乙烯作為基體;方法:將硅烷偶聯(lián)劑改性的納米鈦酸鉍鈉加入N,N?二甲基甲酰胺中,超聲攪拌2h,加入聚偏氟乙烯粉末,超聲攪拌反應(yīng)2h;鋪膜,烘干;熱壓。本發(fā)明用于制作電容器和儲能器件。
聲明:
“高介電、低損耗和高擊穿強(qiáng)度的聚偏氟乙烯基復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)