本發(fā)明公開了一種基于二維Ti3C2Tx/MOS
復(fù)合材料的氣體傳感器及其制備方法,該制備方法包括以下步驟:提供平面電極基片;稱取多層Ti3C2Tx材料進(jìn)行插層、超聲分散處理,得到少層Ti3C2Tx分散液;將所述少層Ti3C2Tx分散液滴涂于所述的平面電極基片的上表面并干燥,形成Ti3C2Tx薄膜;提供MOS靶材,通過磁控濺射在Ti3C2Tx薄膜表面沉積MOS薄膜,得到具有雙層氣敏材料薄膜的平面電極基片,并經(jīng)后續(xù)組裝,完成基于二維Ti3C2Tx/MOS復(fù)合材料的氣體傳感器的制備。本發(fā)明制備方法制得的傳感器具有優(yōu)良的靈敏度、選擇性、循環(huán)穩(wěn)定性以及可恢復(fù)性,且制備方法簡單可靠,重復(fù)性高,適于大規(guī)模生產(chǎn)。
聲明:
“基于二維Ti3C2Tx/MOS復(fù)合材料的氣體傳感器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)